Vytisknout stránku
SI5933CDC-T1-GE3
Duální MOSFET, P Kanál, 20 V, 20 V, 3.7 A, 3.7 A, 0.12 ohm
Obrázky mají pouze ilustrativní charakter. Prosím projděte si popis produktu.
Informace o produktu
VýrobceVISHAY
Č. dílu výrobceSI5933CDC-T1-GE3
Objednací kód2454809RL
Technický list
Typ KanáluP Kanál
Napětí Drain Source Vds, N Kanál20V
Napětí Drain Source Vds20V
Napětí Drain Source Vds, P Kanál20V
Trvalý Proud Drainu Id3.7A
Trvalý Proud Drainu Id, N Kanál3.7A
Trvalý Proud Drainu Id, P Kanál3.7A
Odpor Drain-Source př Zapnutí N Kanál0.12ohm
Odpor Drain-Source př Zapnutí P Kanál0.12ohm
Druh Pouzdra Tranzistoru1206
Počet Pinů8Pinů
Výkonové Ztráty N Kanál2.8W
Výkonové Ztráty P Kanál2.8W
Provozní Teplota Max150°C
Produktová Řada-
Kvalifikace-
Alternativy pro SI5933CDC-T1-GE3
Nalezen 1 produkt
Technické specifikace
Typ Kanálu
P Kanál
Napětí Drain Source Vds
20V
Trvalý Proud Drainu Id
3.7A
Trvalý Proud Drainu Id, P Kanál
3.7A
Odpor Drain-Source př Zapnutí P Kanál
0.12ohm
Počet Pinů
8Pinů
Výkonové Ztráty P Kanál
2.8W
Produktová Řada
-
Napětí Drain Source Vds, N Kanál
20V
Napětí Drain Source Vds, P Kanál
20V
Trvalý Proud Drainu Id, N Kanál
3.7A
Odpor Drain-Source př Zapnutí N Kanál
0.12ohm
Druh Pouzdra Tranzistoru
1206
Výkonové Ztráty N Kanál
2.8W
Provozní Teplota Max
150°C
Kvalifikace
-
Technické dokumenty (2)
Legislativa a životní prostředí
Země původu:
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:Taiwan
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:Taiwan
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Tarif č.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Vyhovuje směrnici RoHS:Ano
RoHS
Vyhovuje směrnici RoHS o ftalátech:Bude posouzeno
Stáhnout osvědčení o shodě
Osvědčení o shodě
Hmotnost (kg):.00033
Sledovatelnost produktů