Vytisknout stránku
3 512 Skladem
Potřebujete další?
EXPRESNÍ doručení do 1–2 pracovních dnů
Objednejte před 17:00
Standardní doručení ZDARMA
pro objednávky za 0.00 Kč a více
Přesné dodací lhůty budou vypočteny u pokladny
| Množství | |
|---|---|
| 100+ | 22.171 Kč |
| 500+ | 17.681 Kč |
| 1000+ | 16.452 Kč |
| 5000+ | 14.321 Kč |
Cena za:Každý (Dodáváno na Stříhané Pásce)
Minimálně: 100
Více: 1
2 337.10 Kč (bez DPH)
K tomuto produktu bude naúčtován poplatek za převíjení ve výši 120.00 Kč
Přidat č. dílu / poznámku k řádku
Přidáno do potvrzení objednávky, faktury a expedice pouze pro tuto objednávku.
Toto číslo bude přidáno do kolonky Potvrzení objednávky, Faktury, Zásilky, Webového potvrzovacího emailu a Produktového štítku.
Informace o produktu
VýrobceVISHAY
Č. dílu výrobceSI7157DP-T1-GE3
Objednací kód2471947RL
Produktová ŘadaE
Technický list
Typ KanáluP Kanál
Polarita TranzistoruP Kanál
Napětí Drain Source Vds20V
Trvalý Proud Drainu Id60A
Rezistence při Zapnutí Rds(on)0.00125ohm
Odpor Drain-Source při Zapnutí1600µohm
Druh Pouzdra TranzistoruPowerPAK SO
Montáž TranzistoruPovrchová Montáž
Rds(on) Testovací Napětí Vgs10V
Prahové Napětí Vgs1.4V
Rozptýlený Výkon104W
Výkonové Ztráty Pd104W
Počet Pinů8Pinů
Provozní Teplota Max150°C
Produktová ŘadaE
Kvalifikace-
Specifikace Automobilového Standardu-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Přehled produktu
SI7157DP-T1-GE3 je 20V P-kanálový TrenchFET® Gen III Výkonový MOSFET pro mobilní počítače.
- 100% Rg Testováno
- 100% UIS Testováno
- ±12 V Gate-source napětí
Výstrahy
Poptávka na trhu po tomto produktu způsobila prodloužení doby naskladnění, dodací lhůty se mohou měnit
Technické specifikace
Typ Kanálu
P Kanál
Napětí Drain Source Vds
20V
Rezistence při Zapnutí Rds(on)
0.00125ohm
Druh Pouzdra Tranzistoru
PowerPAK SO
Rds(on) Testovací Napětí Vgs
10V
Rozptýlený Výkon
104W
Počet Pinů
8Pinů
Produktová Řada
E
Specifikace Automobilového Standardu
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Polarita Tranzistoru
P Kanál
Trvalý Proud Drainu Id
60A
Odpor Drain-Source při Zapnutí
1600µohm
Montáž Tranzistoru
Povrchová Montáž
Prahové Napětí Vgs
1.4V
Výkonové Ztráty Pd
104W
Provozní Teplota Max
150°C
Kvalifikace
-
MSL
MSL 1 - Neomezené
Technické dokumenty (2)
Alternativy pro SI7157DP-T1-GE3
Nalezené produkty: 2
Legislativa a životní prostředí
Země původu:
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:China
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:China
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Tarif č.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Vyhovuje směrnici RoHS:Ano
RoHS
Vyhovuje směrnici RoHS o ftalátech:Ano
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
Stáhnout osvědčení o shodě
Osvědčení o shodě
Hmotnost (kg):.000272
Sledovatelnost produktů