Vytisknout stránku
SIRA18DP-T1-GE3
Výkonový MOSFET, N Kanál, 30 V, 33 A, 7500 µohm, PowerPAK SO, Povrchová Montáž
Obrázky mají pouze ilustrativní charakter. Prosím projděte si popis produktu.
2 062 Skladem
Potřebujete další?
EXPRESNÍ doručení do 1–2 pracovních dnů
Objednejte před 17:00
Standardní doručení ZDARMA
pro objednávky za 0.00 Kč a více
Přesné dodací lhůty budou vypočteny u pokladny
| Množství | |
|---|---|
| 1+ | 20.139 Kč |
| 10+ | 13.568 Kč |
| 100+ | 9.505 Kč |
| 500+ | 7.524 Kč |
| 1000+ | 6.822 Kč |
| 5000+ | 6.245 Kč |
Cena za:Každý
Minimálně: 1
Více: 1
20.14 Kč (bez DPH)
Přidat č. dílu / poznámku k řádku
Přidáno do potvrzení objednávky, faktury a expedice pouze pro tuto objednávku.
Toto číslo bude přidáno do kolonky Potvrzení objednávky, Faktury, Zásilky, Webového potvrzovacího emailu a Produktového štítku.
Informace o produktu
VýrobceVISHAY
Č. dílu výrobceSIRA18DP-T1-GE3
Objednací kód2364097
Technický list
Typ KanáluN Kanál
Napětí Drain Source Vds30V
Trvalý Proud Drainu Id33A
Odpor Drain-Source při Zapnutí7500µohm
Druh Pouzdra TranzistoruPowerPAK SO
Montáž TranzistoruPovrchová Montáž
Rds(on) Testovací Napětí Vgs10V
Prahové Napětí Vgs1.2V
Rozptýlený Výkon14.7W
Počet Pinů8Pinů
Provozní Teplota Max150°C
Produktová Řada-
Kvalifikace-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Přehled produktu
N-kanálový 30 V (D-S) MOSFET, vhodný pro použití při DC/DC převodu, ochraně baterie, spínání zátěže a DC/AC invertorech.
- TrenchFET® Gen IV výkonový MOSFET
- 100% Rg a UIS testováno
Výstrahy
Poptávka na trhu po tomto produktu způsobila prodloužení dodacích lhůt. Dodací lhůty se mohou měnit. Na produkt se nevztahují slevy.
Technické specifikace
Typ Kanálu
N Kanál
Trvalý Proud Drainu Id
33A
Druh Pouzdra Tranzistoru
PowerPAK SO
Rds(on) Testovací Napětí Vgs
10V
Rozptýlený Výkon
14.7W
Provozní Teplota Max
150°C
Kvalifikace
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Napětí Drain Source Vds
30V
Odpor Drain-Source při Zapnutí
7500µohm
Montáž Tranzistoru
Povrchová Montáž
Prahové Napětí Vgs
1.2V
Počet Pinů
8Pinů
Produktová Řada
-
MSL
MSL 1 - Neomezené
Technické dokumenty (2)
Alternativy pro SIRA18DP-T1-GE3
Nalezen 1 produkt
Legislativa a životní prostředí
Země původu:
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:China
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:China
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Tarif č.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Vyhovuje směrnici RoHS:Ano
RoHS
Vyhovuje směrnici RoHS o ftalátech:Ano
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
Stáhnout osvědčení o shodě
Osvědčení o shodě
Hmotnost (kg):.00012
Sledovatelnost produktů