Vytisknout stránku
SIS412DN-T1-GE3
Výkonový MOSFET, N Kanál, 30 V, 12 A, 0.024 ohm, PowerPAK 1212, Povrchová Montáž
Obrázky mají pouze ilustrativní charakter. Prosím projděte si popis produktu.
32 413 Skladem
Potřebujete další?
EXPRESNÍ doručení do 1–2 pracovních dnů
Objednejte před 17:00
Standardní doručení ZDARMA
pro objednávky za 0.00 Kč a více
Přesné dodací lhůty budou vypočteny u pokladny
| Množství | |
|---|---|
| 1+ | 15.951 Kč |
| 10+ | 9.706 Kč |
| 100+ | 7.700 Kč |
| 500+ | 7.298 Kč |
| 1000+ | 6.571 Kč |
| 5000+ | 5.518 Kč |
Cena za:Každý
Minimálně: 1
Více: 1
15.95 Kč (bez DPH)
Přidat č. dílu / poznámku k řádku
Přidáno do potvrzení objednávky, faktury a expedice pouze pro tuto objednávku.
Toto číslo bude přidáno do kolonky Potvrzení objednávky, Faktury, Zásilky, Webového potvrzovacího emailu a Produktového štítku.
Informace o produktu
VýrobceVISHAY
Č. dílu výrobceSIS412DN-T1-GE3
Objednací kód1779238
Technický list
Typ KanáluN Kanál
Napětí Drain Source Vds30V
Trvalý Proud Drainu Id12A
Odpor Drain-Source při Zapnutí0.024ohm
Druh Pouzdra TranzistoruPowerPAK 1212
Montáž TranzistoruPovrchová Montáž
Rds(on) Testovací Napětí Vgs10V
Prahové Napětí Vgs1V
Rozptýlený Výkon15.6W
Počet Pinů8Pinů
Provozní Teplota Max150°C
Produktová Řada-
Kvalifikace-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Přehled produktu
SIS412DN-T1-GE3 je 30 V N-kanálový TrenchFET® Power MOSFET. Vhodné pro spínače zátěže, notebooky, stolní PC a herní stanice. N-kanálový MOSFET pro spínací aplikace jsou nyní k dispozici s odporem v zapnutém stavu jádra okolo 1mR a se schopností zvládnout
- Bezhalogenový dle IEC 61249-2-21 definice
- 100 % Rg testováno
Technické specifikace
Typ Kanálu
N Kanál
Trvalý Proud Drainu Id
12A
Druh Pouzdra Tranzistoru
PowerPAK 1212
Rds(on) Testovací Napětí Vgs
10V
Rozptýlený Výkon
15.6W
Provozní Teplota Max
150°C
Kvalifikace
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Napětí Drain Source Vds
30V
Odpor Drain-Source při Zapnutí
0.024ohm
Montáž Tranzistoru
Povrchová Montáž
Prahové Napětí Vgs
1V
Počet Pinů
8Pinů
Produktová Řada
-
MSL
-
Technické dokumenty (2)
Alternativy pro SIS412DN-T1-GE3
Nalezen 1 produkt
Legislativa a životní prostředí
Země původu:
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:Israel
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:Israel
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Tarif č.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Vyhovuje směrnici RoHS:Ano
RoHS
Vyhovuje směrnici RoHS o ftalátech:Ano
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Stáhnout osvědčení o shodě
Osvědčení o shodě
Hmotnost (kg):.000076
Sledovatelnost produktů