Vytisknout stránku
SIZ998DT-T1-GE3
Duální MOSFET, N Kanál + Schottky, 30 V, 30 V, 60 A, 60 A, 2200 µohm
Obrázky mají pouze ilustrativní charakter. Prosím projděte si popis produktu.
VýrobceVISHAY
Č. dílu výrobceSIZ998DT-T1-GE3
Objednací kód2802799
Produktová ŘadaTrenchFET Series
Technický list
11 234 Skladem
Potřebujete další?
EXPRESNÍ doručení do 1–2 pracovních dnů
Objednejte před 17:00
Standardní doručení ZDARMA
pro objednávky za 0.00 Kč a více
Přesné dodací lhůty budou vypočteny u pokladny
| Množství | |
|---|---|
| 1+ | 45.395 Kč |
| 10+ | 29.093 Kč |
| 100+ | 19.663 Kč |
| 500+ | 14.371 Kč |
| 1000+ | 13.919 Kč |
| 5000+ | 11.938 Kč |
Cena za:Každý (Dodáváno na Stříhané Pásce)
Minimálně: 1
Více: 1
45.40 Kč (bez DPH)
Přidat č. dílu / poznámku k řádku
Přidáno do potvrzení objednávky, faktury a expedice pouze pro tuto objednávku.
Toto číslo bude přidáno do kolonky Potvrzení objednávky, Faktury, Zásilky, Webového potvrzovacího emailu a Produktového štítku.
Informace o produktu
VýrobceVISHAY
Č. dílu výrobceSIZ998DT-T1-GE3
Objednací kód2802799
Produktová ŘadaTrenchFET Series
Technický list
Typ KanáluN Kanál + Schottky
Napětí Drain Source Vds, N Kanál30V
Napětí Drain Source Vds, P Kanál30V
Trvalý Proud Drainu Id, N Kanál60A
Trvalý Proud Drainu Id, P Kanál60A
Odpor Drain-Source př Zapnutí N Kanál2200µohm
Odpor Drain-Source př Zapnutí P Kanál2200µohm
Druh Pouzdra TranzistoruPowerPAIR
Počet Pinů8Pinů
Výkonové Ztráty N Kanál32.9W
Výkonové Ztráty P Kanál32.9W
Provozní Teplota Max150°C
Produktová ŘadaTrenchFET Series
Kvalifikace-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Technické specifikace
Typ Kanálu
N Kanál + Schottky
Napětí Drain Source Vds, P Kanál
30V
Trvalý Proud Drainu Id, P Kanál
60A
Odpor Drain-Source př Zapnutí P Kanál
2200µohm
Počet Pinů
8Pinů
Výkonové Ztráty P Kanál
32.9W
Produktová Řada
TrenchFET Series
MSL
MSL 1 - Neomezené
Napětí Drain Source Vds, N Kanál
30V
Trvalý Proud Drainu Id, N Kanál
60A
Odpor Drain-Source př Zapnutí N Kanál
2200µohm
Druh Pouzdra Tranzistoru
PowerPAIR
Výkonové Ztráty N Kanál
32.9W
Provozní Teplota Max
150°C
Kvalifikace
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Technické dokumenty (2)
Alternativy pro SIZ998DT-T1-GE3
Nalezen 1 produkt
Legislativa a životní prostředí
Země původu:
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:Hong Kong
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:Hong Kong
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Tarif č.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Vyhovuje směrnici RoHS:Ano
RoHS
Vyhovuje směrnici RoHS o ftalátech:Ano
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
Stáhnout osvědčení o shodě
Osvědčení o shodě
Hmotnost (kg):.006
Sledovatelnost produktů