Vytisknout stránku
SQ1922AEEH-T1_GE3
Duální MOSFET, N Kanál, 20 V, 20 V, 850 mA, 850 mA, 0.21 ohm
Obrázky mají pouze ilustrativní charakter. Prosím projděte si popis produktu.
VýrobceVISHAY
Č. dílu výrobceSQ1922AEEH-T1_GE3
Objednací kód3104164RL
Produktová ŘadaTrenchFET Series
Technický list
5 755 Skladem
Potřebujete další?
Dodání do 1 až 2 pracovních dnů
Objednávky do 17:00, standardní doručení
| Množství | |
|---|---|
| 100+ | 6.772 Kč |
| 500+ | 5.166 Kč |
| 1000+ | 4.339 Kč |
| 5000+ | 3.361 Kč |
Cena za:Každý (Dodáváno na Stříhané Pásce)
Minimálně: 100
Více: 5
797.20 Kč (bez DPH)
K tomuto produktu bude naúčtován poplatek za převíjení ve výši 120.00 Kč
Přidat č. dílu / poznámku k řádku
Přidáno do potvrzení objednávky, faktury a expedice pouze pro tuto objednávku.
Toto číslo bude přidáno do kolonky Potvrzení objednávky, Faktury, Zásilky, Webového potvrzovacího emailu a Produktového štítku.
Informace o produktu
VýrobceVISHAY
Č. dílu výrobceSQ1922AEEH-T1_GE3
Objednací kód3104164RL
Produktová ŘadaTrenchFET Series
Technický list
Typ KanáluN Kanál
Napětí Drain Source Vds20V
Napětí Drain Source Vds, N Kanál20V
Napětí Drain Source Vds, P Kanál20V
Trvalý Proud Drainu Id850mA
Trvalý Proud Drainu Id, N Kanál850mA
Trvalý Proud Drainu Id, P Kanál850mA
Odpor Drain-Source př Zapnutí N Kanál0.21ohm
Odpor Drain-Source př Zapnutí P Kanál0.21ohm
Druh Pouzdra TranzistoruSOT-363
Počet Pinů6Pinů
Výkonové Ztráty N Kanál1.5W
Výkonové Ztráty P Kanál1.5W
Provozní Teplota Max175°C
Produktová ŘadaTrenchFET Series
KvalifikaceAEC-Q101
Přehled produktu
Výstrahy
Poptávka na trhu po tomto produktu způsobila prodloužení dodacích lhůt. Dodací lhůty se mohou měnit. Na produkt se nevztahují slevy.
Technické specifikace
Typ Kanálu
N Kanál
Napětí Drain Source Vds, N Kanál
20V
Trvalý Proud Drainu Id
850mA
Trvalý Proud Drainu Id, P Kanál
850mA
Odpor Drain-Source př Zapnutí P Kanál
0.21ohm
Počet Pinů
6Pinů
Výkonové Ztráty P Kanál
1.5W
Produktová Řada
TrenchFET Series
MSL
MSL 1 - Neomezené
Napětí Drain Source Vds
20V
Napětí Drain Source Vds, P Kanál
20V
Trvalý Proud Drainu Id, N Kanál
850mA
Odpor Drain-Source př Zapnutí N Kanál
0.21ohm
Druh Pouzdra Tranzistoru
SOT-363
Výkonové Ztráty N Kanál
1.5W
Provozní Teplota Max
175°C
Kvalifikace
AEC-Q101
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Technické dokumenty (1)
Legislativa a životní prostředí
Země původu:
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:China
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:China
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Tarif č.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Vyhovuje směrnici RoHS:Ano
RoHS
Vyhovuje směrnici RoHS o ftalátech:Ano
RoHS
SVHC:Lead (07-Nov-2024)
Stáhnout osvědčení o shodě
Osvědčení o shodě
Hmotnost (kg):.009