Vytisknout stránku
SQJ122EP-T1_GE3
Výkonový MOSFET, N Kanál, 30 V, 98 A, 3500 µohm, PowerPAK SO, Povrchová Montáž
Obrázky mají pouze ilustrativní charakter. Prosím projděte si popis produktu.
3 000 Skladem
Potřebujete další?
.
.
Standardní doručení ZDARMA
pro objednávky za 0.00 Kč a více
Přesné dodací lhůty budou vypočteny u pokladny
| Množství | |
|---|---|
| 100+ | 14.521 Kč |
| 500+ | 11.462 Kč |
| 1000+ | 10.684 Kč |
| 5000+ | 9.054 Kč |
Cena za:Každý (Dodáváno na Stříhané Pásce)
Minimálně: 100
Více: 1
1 572.10 Kč (bez DPH)
K tomuto produktu bude naúčtován poplatek za převíjení ve výši 120.00 Kč
poznámku k řádku
Přidáno do potvrzení objednávky, faktury a expedice pouze pro tuto objednávku.
Informace o produktu
VýrobceVISHAY
Č. dílu výrobceSQJ122EP-T1_GE3
Objednací kód4588043RL
Technický list
Napětí Drain Source Vds30V
Trvalý Proud Drainu Id98A
Odpor Drain-Source při Zapnutí3500µohm
Rds(on) Testovací Napětí Vgs10V
Prahové Napětí Vgs3.5V
Rozptýlený Výkon60W
Počet Pinů4Pinů
Provozní Teplota Max175°C
SVHCLead (21-Jan-2025)
Technické specifikace
Napětí Drain Source Vds
30V
Odpor Drain-Source při Zapnutí
3500µohm
Prahové Napětí Vgs
3.5V
Počet Pinů
4Pinů
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Trvalý Proud Drainu Id
98A
Rds(on) Testovací Napětí Vgs
10V
Rozptýlený Výkon
60W
Provozní Teplota Max
175°C
Technické dokumenty (1)
Legislativa a životní prostředí
Země původu:
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:China
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:China
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Tarif č.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Vyhovuje směrnici RoHS:Ano
RoHS
Vyhovuje směrnici RoHS o ftalátech:Ano
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
Stáhnout osvědčení o shodě
Osvědčení o shodě
Hmotnost (kg):.000001
Sledovatelnost produktů