Vytisknout stránku
TSHF5210
Infračervený Vysílač, Vysoká Rychlost, 890 nm, 10 °, T-1 3/4 (5mm), 30 mW/Sr, 30 ns, 30 ns
Obrázky mají pouze ilustrativní charakter. Prosím projděte si popis produktu.
2 562 Skladem
4 000 Nyní si můžete rezervovat zásoby na skladě
Dodání do 1 až 2 pracovních dnů
Objednávky do 17:00, standardní doručení
| Množství | |
|---|---|
| 1+ | 15.775 Kč |
| 10+ | 10.885 Kč |
| 25+ | 9.907 Kč |
| 50+ | 8.903 Kč |
| 100+ | 7.925 Kč |
| 500+ | 6.596 Kč |
Cena za:Každý
Minimálně: 1
Více: 1
15.78 Kč (bez DPH)
Přidat č. dílu / poznámku k řádku
Přidáno do potvrzení objednávky, faktury a expedice pouze pro tuto objednávku.
Toto číslo bude přidáno do kolonky Potvrzení objednávky, Faktury, Zásilky, Webového potvrzovacího emailu a Produktového štítku.
Informace o produktu
VýrobceVISHAY
Č. dílu výrobceTSHF5210
Objednací kód1779669
Technický list
Špičková Vlnová Délka890nm
Úhel Poloviční Intenzity10°
Druh Pouzdra DiodyT-1 3/4 (5mm)
Intenzita Vyzařování (Ie)30mW/Sr
Doba Náběhu30ns
Doba Sestupu tf30ns
Proud v Propustném Směru If(AV)100mA
Napětí v Propustném Směru VF Max1.4V
Provozní Teplota Min-40°C
Provozní Teplota Max85°C
Specifikace Automobilového Standardu-
Produktová Řada-
MSL-
SVHCNo SVHC (07-Nov-2024)
Přehled produktu
The TSHF5210 is a 890nm Infrared Emitting Diode in GaAlAs double hetero (DH) technology. It is moulded in a clear, untinted plastic package. It is suitable for use in infrared high speed remote control and free air data transmission systems with high modulation frequencies or high data transmission rate requirements, transmission systems according to IrDA requirements and for carrier frequency based systems (e.g. ASK/FSK -coded, 450KHz or 1.3MHz) and smoke-automatic fire detectors.
- High speed
- High reliability
- High radiant power
- High radiant intensity
- ϕ = ±10° Angle of half intensity
- Low forward voltage
- Suitable for high pulse current operation
- Good spectral matching with Si photodetectors
- 12MHz High modulation bandwidth (fc)
Technické specifikace
Špičková Vlnová Délka
890nm
Druh Pouzdra Diody
T-1 3/4 (5mm)
Doba Náběhu
30ns
Proud v Propustném Směru If(AV)
100mA
Provozní Teplota Min
-40°C
Specifikace Automobilového Standardu
-
MSL
-
Úhel Poloviční Intenzity
10°
Intenzita Vyzařování (Ie)
30mW/Sr
Doba Sestupu tf
30ns
Napětí v Propustném Směru VF Max
1.4V
Provozní Teplota Max
85°C
Produktová Řada
-
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
Technické dokumenty (2)
Alternativy pro TSHF5210
Nalezen 1 produkt
Legislativa a životní prostředí
Země původu:
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:China
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:China
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Tarif č.:85414100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Vyhovuje směrnici RoHS:Ano
RoHS
Vyhovuje směrnici RoHS o ftalátech:Ano
RoHS
SVHC:No SVHC (07-Nov-2024)
Stáhnout osvědčení o shodě
Osvědčení o shodě
Hmotnost (kg):.000361
Sledovatelnost produktů