Vytisknout stránku
WG25R135W1Q
IGBT, 50 A, 1.85 V, 300 W, 1.35 kV, TO-247, 3 Pinů
Obrázky mají pouze ilustrativní charakter. Prosím projděte si popis produktu.
239 Skladem
Potřebujete další?
EXPRESNÍ doručení do 1–2 pracovních dnů
Objednejte před 17:00
Standardní doručení ZDARMA
pro objednávky za 0.00 Kč a více
Přesné dodací lhůty budou vypočteny u pokladny
| Množství | |
|---|---|
| 1+ | 52.919 Kč |
| 10+ | 47.652 Kč |
| 100+ | 38.372 Kč |
| 500+ | 35.112 Kč |
| 1000+ | 31.601 Kč |
Cena za:Každý
Minimálně: 1
Více: 1
52.92 Kč (bez DPH)
Přidat č. dílu / poznámku k řádku
Přidáno do potvrzení objednávky, faktury a expedice pouze pro tuto objednávku.
Toto číslo bude přidáno do kolonky Potvrzení objednávky, Faktury, Zásilky, Webového potvrzovacího emailu a Produktového štítku.
Informace o produktu
VýrobceWEEN SEMICONDUCTORS
Č. dílu výrobceWG25R135W1Q
Objednací kód4697767
Technický list
Stálý Proud Kolektoru50A
Saturační Napětí Kolektor-Emitor1.85V
Rozptýlený Výkon300W
Napětí Konektor-Emitor Max1.35kV
Druh Pouzdra TranzistoruTO-247
Počet Pinů3Pinů
Provozní Teplota Max175°C
Montáž TranzistoruSkrz Desku
Produktová Řada-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Přehled produktu
WG25R135W1Q is an IGBT. It uses advanced Fine Trench Field-stop technology IGBT with monolithic body diode. This device is part of reverse-conducting of IGBTs, which represents an optimum compromise between conduction and switching losses to maximize the efficiency for soft commutation. Typical applications include microwave ovens, induction heating, resonant converters, soft switching applications.
- Reverse conducting IGBT with monolithic body diode
- Low conduction losses, EMI improved design
- Positive temperature efficient for easy parallel operating
- Collector-emitter breakdown voltage is 1350V min at VGE = 0V; IC = 1mA
- Diode forward voltage is 2.1V typ at VGE = 0V; IF = 25A; Tj = 25°C
- Zero gate voltage collector current is 100μA max at VCE = 1350V; VGE = 0V; Tj = 25°C
- Gate charge is 98nC typ at VCC = 1080V; IC = 25A; VGE = 15V;Tj = 25°C
- Turn-off delay time is 89nS typ at Tj=25°C, IC=25A, VGE=15V / 0V, RG=10 ohm, Cr=300nF, R=2ohm
- TO247 package
- Maximum operating junction temperature is 175°C
Technické specifikace
Stálý Proud Kolektoru
50A
Rozptýlený Výkon
300W
Druh Pouzdra Tranzistoru
TO-247
Provozní Teplota Max
175°C
Produktová Řada
-
Saturační Napětí Kolektor-Emitor
1.85V
Napětí Konektor-Emitor Max
1.35kV
Počet Pinů
3Pinů
Montáž Tranzistoru
Skrz Desku
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technické dokumenty (1)
Legislativa a životní prostředí
Země původu:
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:China
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:China
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Tarif č.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Vyhovuje směrnici RoHS:Bude posouzeno
Vyhovuje směrnici RoHS o ftalátech:Bude posouzeno
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Stáhnout osvědčení o shodě
Osvědčení o shodě
Hmotnost (kg):.000001