Vytisknout stránku
DMN6075S-7
Výkonový MOSFET, N Kanál, 60 V, 2 A, 0.085 ohm, SOT-23, Povrchová Montáž
Obrázky mají pouze ilustrativní charakter. Prosím projděte si popis produktu.
16 424 Skladem
Potřebujete další?
.
.
Standardní doručení ZDARMA
pro objednávky za 0.00 Kč a více
Přesné dodací lhůty budou vypočteny u pokladny
| Množství | |
|---|---|
| 500+ | 1.964 Kč |
| 1500+ | 1.951 Kč |
Cena za:Každý (Dodáváno na Stříhané Pásce)
Minimálně: 500
Více: 5
1 102.00 Kč (bez DPH)
K tomuto produktu bude naúčtován poplatek za převíjení ve výši 120.00 Kč
poznámku k řádku
Přidáno do potvrzení objednávky, faktury a expedice pouze pro tuto objednávku.
Informace o produktu
VýrobceDIODES INC.
Č. dílu výrobceDMN6075S-7
Objednací kód3127343RL
Technický list
Typ KanáluN Kanál
Polarita TranzistoruN Kanál
Napětí Drain Source Vds60V
Trvalý Proud Drainu Id2A
Odpor Drain-Source při Zapnutí0.085ohm
Rezistence při Zapnutí Rds(on)0.069ohm
Druh Pouzdra TranzistoruSOT-23
Montáž TranzistoruPovrchová Montáž
Rds(on) Testovací Napětí Vgs10V
Prahové Napětí Vgs3V
Výkonové Ztráty Pd800mW
Rozptýlený Výkon800mW
Počet Pinů3Pinů
Provozní Teplota Max150°C
Produktová Řada-
Kvalifikace-
Specifikace Automobilového Standardu-
MSL-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Přehled produktu
DMN6075S-7 is a N-channel enhancement mode MOSFET. This new generation MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and maintains superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. Typical applications include backlighting, power management functions, DC-DC converters.
- Low input capacitance, low on-resistance
- Fast switching speed
- Drain-source voltage is 60V at TA=+25°C
- Gate-source voltage is ±20V at TA=+25°C
- Continuous drain current is 2A at TA=+25°C, VGS = 10V, steady state
- Maximum body diode forward current is 2A at TA = +25°C
- Pulsed drain current (10µs pulse, duty cycle = 1%) is 12A at TA = +25°C
- Static drain-source on-resistance is 85mohm max at VGS = 10V, ID = 3.2A, TA = +25°C
- SOT23 case
- Operating and storage temperature range from -55 to +150°C
Technické specifikace
Typ Kanálu
N Kanál
Napětí Drain Source Vds
60V
Odpor Drain-Source při Zapnutí
0.085ohm
Druh Pouzdra Tranzistoru
SOT-23
Rds(on) Testovací Napětí Vgs
10V
Výkonové Ztráty Pd
800mW
Počet Pinů
3Pinů
Produktová Řada
-
Specifikace Automobilového Standardu
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Polarita Tranzistoru
N Kanál
Trvalý Proud Drainu Id
2A
Rezistence při Zapnutí Rds(on)
0.069ohm
Montáž Tranzistoru
Povrchová Montáž
Prahové Napětí Vgs
3V
Rozptýlený Výkon
800mW
Provozní Teplota Max
150°C
Kvalifikace
-
MSL
-
Technické dokumenty (2)
Alternativy pro DMN6075S-7
Nalezené produkty: 5
Legislativa a životní prostředí
Země původu:
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:China
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:China
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Tarif č.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Vyhovuje směrnici RoHS:Ano
RoHS
Vyhovuje směrnici RoHS o ftalátech:Ano
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Stáhnout osvědčení o shodě
Osvědčení o shodě
Hmotnost (kg):.000635
Sledovatelnost produktů