Vytisknout stránku
IRF7341GTRPBF
Duální MOSFET, N Kanál, 55 V, 55 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.043 ohm
Obrázky mají pouze ilustrativní charakter. Prosím projděte si popis produktu.
VýrobceINFINEON
Č. dílu výrobceIRF7341GTRPBF
Objednací kód2839483
Produktová ŘadaHEXFET Series
Alternativní označeníIRF7341GTRPBF, SP001563394
Technický list
3 389 Skladem
Potřebujete další?
EXPRESNÍ doručení do 1–2 pracovních dnů
Objednejte před 17:00
Standardní doručení ZDARMA
pro objednávky za 0.00 Kč a více
Přesné dodací lhůty budou vypočteny u pokladny
| Množství | |
|---|---|
| 5+ | 52.919 Kč |
| 50+ | 31.099 Kč |
| 250+ | 25.832 Kč |
| 1000+ | 21.318 Kč |
| 2000+ | 19.111 Kč |
Cena za:Každý (Dodáváno na Stříhané Pásce)
Minimálně: 5
Více: 5
264.59 Kč (bez DPH)
Přidat č. dílu / poznámku k řádku
Přidáno do potvrzení objednávky, faktury a expedice pouze pro tuto objednávku.
Toto číslo bude přidáno do kolonky Potvrzení objednávky, Faktury, Zásilky, Webového potvrzovacího emailu a Produktového štítku.
Informace o produktu
VýrobceINFINEON
Č. dílu výrobceIRF7341GTRPBF
Objednací kód2839483
Produktová ŘadaHEXFET Series
Alternativní označeníIRF7341GTRPBF, SP001563394
Technický list
Typ KanáluN Kanál
Napětí Drain Source Vds, N Kanál55V
Napětí Drain Source Vds, P Kanál55V
Trvalý Proud Drainu Id, N Kanál5.1A
Trvalý Proud Drainu Id, P Kanál5.1A
Odpor Drain-Source př Zapnutí N Kanál0.043ohm
Odpor Drain-Source př Zapnutí P Kanál0.043ohm
Druh Pouzdra TranzistoruSOIC
Počet Pinů8Pinů
Výkonové Ztráty N Kanál1.7W
Výkonové Ztráty P Kanál1.7W
Provozní Teplota Max175°C
Produktová ŘadaHEXFET Series
Kvalifikace-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Přehled produktu
HEXFET® výkonový MOSFET využívá nejnovější techniky zpracování pro dosažení extrémně nízkého odporu při zapnutí na plochu křemíku.
- Vyspělá technologie procesu
- Dvojí N-kanálový MOSFET
- Ultra nízký odpor v zapnutém stavu
- 175 °C provozní teplota
- Opakované laviny dovolené až do Tjmax
Výstrahy
Poptávka na trhu po tomto produktu způsobila prodloužení dodacích lhůt. Dodací lhůty se mohou měnit. Na produkt se nevztahují slevy.
Technické specifikace
Typ Kanálu
N Kanál
Napětí Drain Source Vds, P Kanál
55V
Trvalý Proud Drainu Id, P Kanál
5.1A
Odpor Drain-Source př Zapnutí P Kanál
0.043ohm
Počet Pinů
8Pinů
Výkonové Ztráty P Kanál
1.7W
Produktová Řada
HEXFET Series
MSL
-
Napětí Drain Source Vds, N Kanál
55V
Trvalý Proud Drainu Id, N Kanál
5.1A
Odpor Drain-Source př Zapnutí N Kanál
0.043ohm
Druh Pouzdra Tranzistoru
SOIC
Výkonové Ztráty N Kanál
1.7W
Provozní Teplota Max
175°C
Kvalifikace
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technické dokumenty (1)
Legislativa a životní prostředí
Země původu:
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:Malaysia
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:Malaysia
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Tarif č.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Vyhovuje směrnici RoHS:Ano
RoHS
Vyhovuje směrnici RoHS o ftalátech:Ano
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Stáhnout osvědčení o shodě
Osvědčení o shodě
Hmotnost (kg):.0001
Sledovatelnost produktů