Vytisknout stránku
NTH4L020N120SC1
MOSFET s Karbidem Křemíku, EliteSiC, Jeden, N Kanál, 102 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, TO-247
Obrázky mají pouze ilustrativní charakter. Prosím projděte si popis produktu.
VýrobceONSEMI
Č. dílu výrobceNTH4L020N120SC1
Objednací kód3464002
Produktová ŘadaEliteSiC Series
Technický list
192 Skladem
Potřebujete další?
EXPRESNÍ doručení do 1–2 pracovních dnů
Objednejte před 17:00
Standardní doručení ZDARMA
pro objednávky za 0.00 Kč a více
Přesné dodací lhůty budou vypočteny u pokladny
| Množství | |
|---|---|
| 1+ | 697.224 Kč |
| 5+ | 637.534 Kč |
| 10+ | 577.843 Kč |
| 50+ | 566.306 Kč |
| 100+ | 554.770 Kč |
Cena za:Každý
Minimálně: 1
Více: 1
697.22 Kč (bez DPH)
poznámku k řádku
Přidáno do potvrzení objednávky, faktury a expedice pouze pro tuto objednávku.
Toto číslo bude přidáno do kolonky Potvrzení objednávky, Faktury, Zásilky, Webového potvrzovacího emailu a Produktového štítku.
Informace o produktu
VýrobceONSEMI
Č. dílu výrobceNTH4L020N120SC1
Objednací kód3464002
Produktová ŘadaEliteSiC Series
Technický list
Konfigurace MOSFET ModuluJeden
Typ KanáluN Kanál
Trvalý Proud Drainu Id102A
Napětí Drain Source Vds1.2kV
Odpor Drain-Source při Zapnutí0.02ohm
Druh Pouzdra TranzistoruTO-247
Počet Pinů4Pinů
Rds(on) Testovací Napětí Vgs20V
Prahové Napětí Vgs2.7V
Rozptýlený Výkon510W
Provozní Teplota Max175°C
Produktová ŘadaEliteSiC Series
SVHCLead (27-Jun-2024)
Přehled produktu
NTH4L020N120SC1 je křemík-karbidový (SIC) MOSFET. Typické aplikace jsou UPS, DC-DC měnič, boost invertor.
- 100 % Lavinově testováno
- Vysokorychlostním spínání s malou kapacitou (Coss = 258pF)
- Napětí drain-source je 1200 V při TJ = 25 °C
- Trvalý proud drainu je 102 A při TC = 25 °C
- Výkonové ztráty jsou 255 W při TC = 100 °C
- Pulzní proud drainu je 408 A při TA = 25 °C
- Rozsah provozní teploty přechodu a úložiště od -55 do +175 °C
- TO-247-4LD pouzdro
Technické specifikace
Konfigurace MOSFET Modulu
Jeden
Trvalý Proud Drainu Id
102A
Odpor Drain-Source při Zapnutí
0.02ohm
Počet Pinů
4Pinů
Prahové Napětí Vgs
2.7V
Provozní Teplota Max
175°C
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Typ Kanálu
N Kanál
Napětí Drain Source Vds
1.2kV
Druh Pouzdra Tranzistoru
TO-247
Rds(on) Testovací Napětí Vgs
20V
Rozptýlený Výkon
510W
Produktová Řada
EliteSiC Series
Technické dokumenty (2)
Související produkty
Nalezené produkty: 2
Legislativa a životní prostředí
Země původu:
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:China
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:China
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Tarif č.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Vyhovuje směrnici RoHS:Y-Ex
RoHS
Vyhovuje směrnici RoHS o ftalátech:Ano
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
Stáhnout osvědčení o shodě
Osvědčení o shodě
Hmotnost (kg):.002
Sledovatelnost produktů