Vytisknout stránku
HGTG40N60B3...
IGBT, 70 A, 2 V, 290 W, 600 V, TO-247, 3 Pinů
Obrázky mají pouze ilustrativní charakter. Prosím projděte si popis produktu.
Již se nevyrábí
Informace o produktu
Alternativy pro HGTG40N60B3...
Nalezené produkty: 3
Přehled produktu
The HGTG40N60B3 is a N-channel PT IGBT ideal for many high voltage switching applications operating at moderate frequencies where low conduction losses are essential, such as drivers for solenoids, relays and contactors. The UFS series MOS gated high voltage switching device combining the best features of MOSFETs and bipolar transistors. The device has the high input impedance of a MOSFET and the low ON-state conduction loss of a bipolar transistor. The much lower ON-state voltage drop varies only moderately between 25 and 150°C.
- Short-circuit rating
- 100ns Fall time @ TJ = 150°C
- 290W Total power dissipation @ TC = 25°C
Technické specifikace
Stálý Proud Kolektoru
70A
Rozptýlený Výkon
290W
Druh Pouzdra Tranzistoru
TO-247
Provozní Teplota Max
150°C
Produktová Řada
-
Saturační Napětí Kolektor-Emitor
2V
Napětí Konektor-Emitor Max
600V
Počet Pinů
3Pinů
Montáž Tranzistoru
Skrz Desku
Technické dokumenty (3)
Související produkty
Nalezené produkty: 2
Legislativa a životní prostředí
Země původu:
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:South Korea
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:South Korea
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Tarif č.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Vyhovuje směrnici RoHS:Ano
RoHS
Vyhovuje směrnici RoHS o ftalátech:Ano
RoHS
Stáhnout osvědčení o shodě
Osvědčení o shodě
Hmotnost (kg):.005443
Sledovatelnost produktů