Vytisknout stránku
MMUN2211LT1G
Bipolární Prebias / Digitální Tranzistor, BRT, Jeden NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
Obrázky mají pouze ilustrativní charakter. Prosím projděte si popis produktu.
109 803 Skladem
Potřebujete další?
EXPRESNÍ doručení do 1–2 pracovních dnů
Objednejte před 17:00
Standardní doručení ZDARMA
pro objednávky za 0.00 Kč a více
Přesné dodací lhůty budou vypočteny u pokladny
| Množství | |
|---|---|
| 5+ | 3.260 Kč |
| 50+ | 1.678 Kč |
| 100+ | 1.051 Kč |
| 500+ | 0.900 Kč |
| 1500+ | 0.775 Kč |
Cena za:Každý (Dodáváno na Stříhané Pásce)
Minimálně: 5
Více: 5
16.30 Kč (bez DPH)
Přidat č. dílu / poznámku k řádku
Přidáno do potvrzení objednávky, faktury a expedice pouze pro tuto objednávku.
Toto číslo bude přidáno do kolonky Potvrzení objednávky, Faktury, Zásilky, Webového potvrzovacího emailu a Produktového štítku.
Informace o produktu
VýrobceONSEMI
Č. dílu výrobceMMUN2211LT1G
Objednací kód9556648
Technický list
Polarita TranzistoruJeden NPN
Napětí Kolektor-Emitor Max NPN50V
Napětí Kolektor-Emitor Max PNP-
Trvalý Proud Kolektoru100mA
Vstupní Rezistor Báze R110kohm
Rezistor Báze-Emitor R210kohm
Druh Pouzdra TranzistoruSOT-23
Počet Pinů3 Piny
Montáž TranzistoruPovrchová Montáž
Rozptýlený Výkon400mW
Provozní Teplota Max150°C
DC Zisk Proudu hFE Min35hFE
Produktová Řada-
Kvalifikace-
MSL-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Přehled produktu
The MMUN2211LT1G from On Semiconductor are NPN digital transistor in 3 pin SOT-23 (TO−236) package. Digital transistor is designed to replace a single device and its external resistor bias network. The bias resistor transistor (BRT) contains a single transistor with a monolithic bias network consisting of two resistors, a series base resistor and a base emitter resistor. The BRT eliminates these individual components by integrating them into a single device. The use of a BRT can reduce both system cost and board space.
- Simplifies circuit design
- Compact board space
- Reduced component count
- AEC-Q101 qualified
- Base input resistor is 10Kohm
- Base emitter resistor is 10kohm
- Collector emitter voltage VCEO of 50VDC
- Continuous collector current of 100mAdc
Technické specifikace
Polarita Tranzistoru
Jeden NPN
Napětí Kolektor-Emitor Max PNP
-
Vstupní Rezistor Báze R1
10kohm
Druh Pouzdra Tranzistoru
SOT-23
Montáž Tranzistoru
Povrchová Montáž
Provozní Teplota Max
150°C
Produktová Řada
-
MSL
-
Napětí Kolektor-Emitor Max NPN
50V
Trvalý Proud Kolektoru
100mA
Rezistor Báze-Emitor R2
10kohm
Počet Pinů
3 Piny
Rozptýlený Výkon
400mW
DC Zisk Proudu hFE Min
35hFE
Kvalifikace
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Technické dokumenty (2)
Alternativy pro MMUN2211LT1G
Nalezené produkty: 3
Související produkty
Nalezené produkty: 2
Legislativa a životní prostředí
Země původu:
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:China
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:China
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Tarif č.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Vyhovuje směrnici RoHS:Ano
RoHS
Vyhovuje směrnici RoHS o ftalátech:Ano
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Stáhnout osvědčení o shodě
Osvědčení o shodě
Hmotnost (kg):.000033
Sledovatelnost produktů