Vytisknout stránku
PD84002
RF FET Tranzistor, 25 V, 2 A, 6 W, 1 GHz, SOT-89
Obrázky mají pouze ilustrativní charakter. Prosím projděte si popis produktu.
Již se nevyrábí
Informace o produktu
VýrobceSTMICROELECTRONICS
Č. dílu výrobcePD84002
Objednací kód2341738
Technický list
Napětí Drain Source Vds25V
Trvalý Proud Drainu Id2A
Rozptýlený Výkon6W
Provozní Frekvence Min-
Provozní Frekvence Max1GHz
Druh Pouzdra TranzistoruSOT-89
Počet Pinů3Pinů
Provozní Teplota Max150°C
Typ KanáluN Kanál
Montáž TranzistoruPovrchová Montáž
Produktová Řada-
Přehled produktu
The PD84002 is a 25V N-channel Enhancement Mode Lateral Field Effect RF Power Transistor designed for high gain, broad band commercial and industrial applications. It operates at 7V in common source mode at frequencies of up to 1GHz. Its superior gain and efficiency makes it an ideal solution for portable radio and UHF RFID reader.
- Excellent thermal stability
- Common source configuration
- ESD protection
- High peak power
- High ruggedness capability
Výstrahy
ESD citlivé zařízení, dbejte patřičných pokynů při manipulaci se zařízením.
Technické specifikace
Napětí Drain Source Vds
25V
Rozptýlený Výkon
6W
Provozní Frekvence Max
1GHz
Počet Pinů
3Pinů
Typ Kanálu
N Kanál
Produktová Řada
-
Trvalý Proud Drainu Id
2A
Provozní Frekvence Min
-
Druh Pouzdra Tranzistoru
SOT-89
Provozní Teplota Max
150°C
Montáž Tranzistoru
Povrchová Montáž
Technické dokumenty (3)
Legislativa a životní prostředí
Země původu:
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:China
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:China
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Tarif č.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Vyhovuje směrnici RoHS:Ano
RoHS
Vyhovuje směrnici RoHS o ftalátech:Ano
RoHS
Stáhnout osvědčení o shodě
Osvědčení o shodě
Hmotnost (kg):.000726