Vytisknout stránku
RF3L05150CB4
RF FET Tranzistor, 90 V, 150 W, 1 GHz, LBB
Obrázky mají pouze ilustrativní charakter. Prosím projděte si popis produktu.
VýrobceSTMICROELECTRONICS
Č. dílu výrobceRF3L05150CB4
Objednací kód3677411
Vaše číslo dílu
Technický list
147 Skladem
Potřebujete další?
EXPRESNÍ doručení do 1–2 pracovních dnů
Objednejte před 17:00
Standardní doručení ZDARMA
pro objednávky za 0.00 Kč a více
Přesné dodací lhůty budou vypočteny u pokladny
| Množství | |
|---|---|
| 1+ | 4 647.309 Kč |
| 5+ | 4 275.699 Kč |
| 10+ | 3 436.659 Kč |
Cena za:Každý (Dodáváno na Stříhané Pásce)
Minimálně: 1
Více: 1
4 647.31 Kč (bez DPH)
poznámku k řádku
Přidáno do potvrzení objednávky, faktury a expedice pouze pro tuto objednávku.
Informace o produktu
VýrobceSTMICROELECTRONICS
Č. dílu výrobceRF3L05150CB4
Objednací kód3677411
Technický list
Napětí Drain Source Vds90V
Trvalý Proud Drainu Id-
Rozptýlený Výkon150W
Provozní Frekvence Min-
Provozní Frekvence Max1GHz
Druh Pouzdra TranzistoruLBB
Počet Pinů5Pinů
Provozní Teplota Max200°C
Typ KanáluN Kanál
Montáž TranzistoruPřírubová
Produktová Řada-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Technické specifikace
Napětí Drain Source Vds
90V
Rozptýlený Výkon
150W
Provozní Frekvence Max
1GHz
Počet Pinů
5Pinů
Typ Kanálu
N Kanál
Produktová Řada
-
Trvalý Proud Drainu Id
-
Provozní Frekvence Min
-
Druh Pouzdra Tranzistoru
LBB
Provozní Teplota Max
200°C
Montáž Tranzistoru
Přírubová
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Technické dokumenty (2)
Legislativa a životní prostředí
Země původu:
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:China
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:China
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Tarif č.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Vyhovuje směrnici RoHS:Ano
RoHS
Vyhovuje směrnici RoHS o ftalátech:Ano
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
Stáhnout osvědčení o shodě
Osvědčení o shodě
Hmotnost (kg):.009072